| ΜΑΡΚΑ | Infineon |
| Προϊόν | BSM10GD120DN2 |
| Περιγραφή | Τρανζίστορ |
| Εσωτερικός κωδικός | IMP532962 |
| Βάρος | 1 |
| Τεχνικές προδιαγραφές | Διαμόρφωση: Πλήρης γέφυρα Μαξ. VCEO τάση συλλέκτη-πομπού: 1200 V Τάση κορεσμού συλλέκτη-πομπού: 2,7 V DC συλλέκτης σε 25 C: 15 A Ρεύμα διαρροής πόρτας-πομπού: 120 nA Dp - Απώλεια ισχύος: 80 W Συσκευασία/Κάλυμμα: EconoPack 2 Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: - 40 C Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: + 150 C Συσκευασία: Δίσκος Εταιρία προϊόντων: Infineon Τεχνολογίες Ύψος: 17 χλστ. Μήκος: 107.5 χιλ. Μέγιστη τάση εκπομπής πύλης-πομπού: 20 V Στυλ τοποθέτησης: Τοποθέτηση σε chassis Τύπος προϊόντος: Ενότητες IGBT Υποκατηγορία: IGBTs Τεχνολογία: Ναι Πλάτος: 45,5 χιλ. Ψευδώνυμο Αρ. εξαρτημάτων: SP000100367 BSM10GD120DN2BOSA1 Βάρος μονάδας: 180 g |
Στείλτε μας μέσω email το ερώτημά σας για να λάβετε την τιμή και τον χρόνο παράδοσης για το Infineon - BSM10GD120DN2 Τρανζίστορ . Μπορούμε επίσης να σας συμβουλεύσουμε για άλλους αριθμούς μοντέλων. Προσπαθούμε να βρούμε την καλύτερη τιμή και χρόνο παράδοσης για εσάς στη γερμανική βιομηχανική αγορά.
Πουλάμε μόνο νέα και πρωτότυπα προϊόντα.
ΜΟΝΆΔΑ IGBT
ΜΟΝΆΔΑ IGBT
τρανζίστορ 1200A:1600V
IGBT Ενότητες 3300V 1200A ΜΟΝΟ
Ενότητα IGBT
Ενότητα IGBT
(Δίοδος)
Ρελέ
Ρελέ
Διόρθωση συντελεστή ισχύος
IGBT, 600V, 50Α, ΣΕ247
Μονάδα IGBT
ΤΡΑΝΖΊΣΤΟΡ ΙΣΧΎΟΣ
θερμίστορ
Ιξυς: Έλεγχος Φάσης Θυρίστορ
μπλοκ ισχύος
Συμβατό με RoHS*
δίοδος
Θυρίστορ
θυρίστορ